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Quantum gates between capacitively coupled double quantum dot two-spin qubits

机译:电容耦合双量子点双自旋之间的量子门   量子比特

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摘要

We study the two-qubit controlled-not gate operating on qubits encoded in thespin state of a pair of electrons in a double quantum dot. We assume that theelectrons can tunnel between the two quantum dots encoding a single qubit,while tunneling between the quantum dots that belong to different qubits isforbidden. Therefore, the two qubits interact exclusively through the directCoulomb repulsion of the electrons. We find that entangling two-qubit gates canbe performed by the electrical biasing of quantum dots and/or tuning of thetunneling matrix elements between the quantum dots within the qubits. Theentangling interaction can be controlled by tuning the bias through theresonance between the singly-occupied and doubly-occupied singlet ground statesof a double quantum dot.
机译:我们研究了在双量子点中以一对电子的自旋态编码的量子位上工作的两个量子位受控非门。我们假定电子可以在编码单个量子位的两个量子点之间隧穿,而禁止在属于不同量子位的量子点之间进行隧穿。因此,两个量子位仅通过电子的直接库仑斥力相互作用。我们发现,纠缠两个量子比特的门可以通过量子点的电偏置和/或量子比特内的量子点之间的隧道矩阵元素的调谐来执行。纠缠相互作用可以通过双量子点的单占据和双占据的单重态基态之间的共振来调节偏置来控制。

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